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傳真：0550-7020026
網(wǎng)址：www.23nongfu.com
E-mail: 2298728263@qq.com
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公司動(dòng)態(tài)
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壓力變送器發(fā)展見證了科技的進(jìn)步
點(diǎn)擊次數(shù)：1535 更新時(shí)間：2015-09-08
隨著科技的不斷進(jìn)步，壓力變送器越來越廣泛的被我們應(yīng)用于生活工作中，LD3351壓力變送器是我公司的一款主打產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于冶金、石油化工、電力、輕工、紡織、食品、國防以及科研等工業(yè)部門，可以安裝于熱電阻的接線盒內(nèi)與之形成一體化結(jié)構(gòu)，是全新一代的測溫儀表。
壓力變送器的發(fā)展之路主要可以分成四個(gè)階段，從1947年雙極性晶體管的發(fā)明到現(xiàn)在，壓力變送器經(jīng)歷了幾十年的發(fā)展，已經(jīng)越來越成為各類變送器中技術(shù)zui成熟、性能zui穩(wěn)定、的一類變送器，現(xiàn)代壓力變送器以半導(dǎo)體變送器的發(fā)明為標(biāo)志，下面就讓小編帶著你回顧一下半導(dǎo)體變送器的四個(gè)發(fā)展階段吧。
*階段(1945 - 1960 年)：壓力變送器發(fā)展的*階段即為發(fā)明階段，主要是以1947雙極性晶體管的發(fā)明為標(biāo)志的，在那以后，半導(dǎo)體材料得到了較為廣泛地應(yīng)用，1945年史密斯(C.S. Smith)發(fā)下了硅與鍺的壓阻效應(yīng)（當(dāng)有外力作用于半導(dǎo)體材料時(shí),其電阻將明顯發(fā)生變化）,依據(jù)這個(gè)原理制成的壓力變送器是把應(yīng)變電阻片粘在金屬薄膜上,即將力信號轉(zhuǎn)化為電信號進(jìn)行測量。此階段zui小尺寸大約為1cm。
第二階段(1960 - 1970 年)：壓力變送器發(fā)展的第二階段屬于技術(shù)發(fā)展階段，這一時(shí)期隨著硅擴(kuò)散技術(shù)的發(fā)展，技術(shù)人員在硅的(001) 或(110) 晶面選擇合適的晶向直接把應(yīng)變電阻擴(kuò)散在晶面上,然后在背面加工成凹形,形成較薄的硅彈性膜片,稱為硅杯，這是的變送器已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了金屬- 硅共晶體,具有體積小、重量輕、靈敏度高、穩(wěn)定性好、成本低、便于集成化等優(yōu)點(diǎn)，也為商業(yè)化發(fā)展提供了可能。
第三階段(1970 - 1980 年)：壓力變送器發(fā)展的第三階段屬于商業(yè)化集成加工階段，這個(gè)時(shí)期在硅杯擴(kuò)散理論的基礎(chǔ)上應(yīng)用了硅的各向異性的腐蝕技術(shù),擴(kuò)散硅變送器其加工工藝以硅的各項(xiàng)異性腐蝕技術(shù)為主,發(fā)展成為可以自動(dòng)控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術(shù),主要有V形槽法、濃硼自動(dòng)中止法、陽極氧化法自動(dòng)中止法和微機(jī)控制自動(dòng)中止法。
第四階段(1980 年- 今) ：從上世紀(jì)80年代開始到現(xiàn)在，納米技術(shù)的發(fā)展使得微機(jī)械加工工藝成為可能，通過微機(jī)械加工工藝可以由計(jì)算機(jī)控制加工出結(jié)構(gòu)型的壓力變送器,其線度可以控制在微米級范圍內(nèi)。利用這一技術(shù)可以加工、蝕刻微米級的溝、條、膜,使得壓力變送器進(jìn)入了微米階段。
隨著時(shí)代的變化，將會(huì)有越來越多類型的變送器出現(xiàn)在我們的工作生產(chǎn)之中，這些變送器各有各的特點(diǎn)，為我們的選擇提供了更廣闊的空間，我們在選購的過程中一定要找到自己的變送器，才能發(fā)揮出儀器zui大的性能。
